1月25日消息，据集微网报道，近日业内传出消息称，美光科技正在解散150人左右规模的上海研发中心，并挑选40多位核心研发人员提供技术移民美国的资格。有业界人士分析称，美光解散DRAM设计团队很有可能是出于防止技术外泄的考虑，并将产品的设计和研发收拢至大陆以外的地区。
报导指出，多位美光前员工与在职员工表示，美光此次并非解散整个上海研发中心，仅仅解散DRAM设计部门，该部门总人数超过100人。集微网也通过美光员工证实，上海DRAM设计团队将在今年内完成解散，公司提供技术移民美国资格的消息属实，部分核心员工将可携带家属一同移民美国，但目前无法确定有多少员工会选择移民。
一名美光前员工透露，“美光的DRAM设计团队此前有一大波人员流失至国内的本土IC设计公司和存储大厂”。
因此，有半导体行业内人士分析，美光解散DRAM设计团队很有可能是出于防止技术外泄的考虑，虽然目前国内的DRAM企业数量相对较少，但未来几年有可能涌现出新的几家DRAM制造商，且现有DRAM企业也正求才若渴，美光此举或是想将产品的设计和研发收拢至中国大陆以外地区。加上美光十分重视知识产权保护，因此有可能提前进行部署。
值得一提的是，此前美光就曾以专利侵权及窃取商业机密为由起诉了联电和福建晋华。
2016 年5 月，联电与福建晋华签署了合作协议。依据该协议，联电与晋华共同开发两代动态随机存取记忆体(DRAM) 制程。协议中所开发的DRAM 制程并非较新技术，而是与2012 年已用于量产技术相似的旧技术。
然而，有3 位参与DRAM 合作案的台湾美光前员工，却违反与联电签订的雇佣合约与声明书，携带前公司信息进入联电并于工作中参考，又将机密资料转移给晋华，美光因此在台湾起诉联电，同年又在美国对联电、晋华提起诉讼，随后美国司法部开始调查。
2020年10 月28 日，联电对窃取美光商业机密一案认罪，遭美国司法部处以6,000 万美元罚金。
联电当时指出，在与美国司法部的和解协议中，美国司法部同意撤销对联电原来包括共谋实施经济间谍活动、共谋窃取多项美光营业秘密和专利有关等指控。联电承认侵害一项营业秘密，同意支付美国政府6,000 万美元的罚金，并在3 年自主管理的缓刑期间内与美国司法部合作。
2021年11月，联电和美光宣布达成全球和解协议，双方将各自撤回向对方提出的诉讼，同时联电将向美光一次支付金额保密的和解金，双方将共创商业合作机会。
美光科技表示，其为创新记忆体和储存空间解决方案的业界领导者，拥有超过40 年技术引领与创新经验及总数超过47,000 件的全球专利，积极大幅投资于先进研发及制造。该公司持续推动对于数据经济至关重要的各项创新，对于智慧财产权的保护则是公司保持竞争力的重要基石。
市场调研公司Counterpoint的报告显示，目前在全球市占率中，三星(41.5%)与SK海力士(29.3%)、美光(23.4%)便掌握全球九成份额。反观国内DRAM企业相对少，目前国内专注于DRAM存储芯片的合肥长鑫虽然已有所突破，但与国际大厂仍有很大差距。
